同类产品
| APWE7237BTI | Toshiba/东芝 | ¥1.65/ | 种类:结型(JFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型,批号:2012+,--:--,封装:SOT-23-5 |
| SPN4526 | Toshiba/东芝 | ¥1.00/个 | 种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,封装外形:SMD(SO)/表面封装,材料:N-FET硅N沟道 |
| AO3406L | Toshiba/东芝 | ¥0.50/个 | 种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,封装外形:SMD(SO)/表面封装,材料:N-FET硅N沟道,封装:SOT-23 |
| 2SK3565 | Toshiba/东芝 | ¥0.60/个 | 种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:SW-REG/开关电源,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:N-FET硅N沟道 |
| 拆机场效应管PQ05RF11 | Toshiba/东芝 | ¥0.60/个 | 种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:P沟道,导电方式:耗尽型,用途:A/宽频带放大,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:GE-P-FET锗P沟道,?:? |
| IRF7842TRPBF | Toshiba/东芝 | ¥2.50/个 | 种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:CC/恒流,封装外形:SMD(SO)/表面封装,材料:N-FET硅N沟道 |
| HY1707 | Toshiba/东芝 | ¥0.22/个 | 种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:DC/直流,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:N-FET硅N沟道,主要参数:ID=80A, VDSS=70V, RDS(on)=6.4mΩ, PD=300W |
| KIA830 | Toshiba/东芝 | ¥0.10/个 | 种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:MOS-FBM/全桥组件,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:GaAS-FET砷化镓 |
| W25Q16BVSSIG/CVSSIG | Toshiba/东芝 | ¥1.49/ | 种类:结型(JFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型,批号:2012+,封装:SOIC-8,属性:NOR FLASH |
| 2SK1215 | Toshiba/东芝 | ¥0.30/个 | 种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,封装外形:SMD(SO)/表面封装,材料:N-FET硅N沟道 |
产品标签
8n60场效应管
